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集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng) 三到六個(gè)端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機(jī)、RIE刻蝕機(jī)、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設(shè)備，以滿足研發(fā)的要求。樣品可以通過(guò)預(yù)真空室和/或真空片盒站加載。
